5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-261AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.7 | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-261AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.6 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZXMS81045SP | DIODES |
获取价格 |
IntelliFET High-Side Power Switch |
|
| ZXMS81045SPQ | DIODES |
获取价格 |
IntelliFET High-Side Power Switch |
|
| ZXMS81090SPQ | DIODES |
获取价格 |
IntelliFET High-Side Power Switch |
|
| ZXMS81200SPQ | DIODES |
获取价格 |
IntelliFET High-Side Power Switch |
|
| ZXMS82090S14PQ | DIODES |
获取价格 |
IntelliFET High-Side Power Switch |
|
| ZXMS82120S14PQ | DIODES |
获取价格 |
IntelliFET High-Side Power Switch |
|
| ZXMS82180S14PQ | DIODES |
获取价格 |
IntelliFET High-Side Power Switch |
|
| ZXNB4202 | DIODES |
获取价格 |
SINGLE LNB - COMPLETE BIAS, CONTROL AND POWER MANAGEMENT SOLUTION |
|
| ZXNB4204 | DIODES |
获取价格 |
SINGLE LNB - COMPLETE BIAS, CONTROL AND POWER MANAGEMENT SOLUTION |
|
| ZXPD4000DH | DIODES |
获取价格 |
NPN, 120V with 120V Diode in DFN3030-8 |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
