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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT-223 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 17 weeks | 风险等级： | 0.79 |
| 其他特性： | LOW THRESHOLD | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 3.9 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZXMN6A11GTC | ZETEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| ZXMN6A11Z | DIODES |
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60V SOT89 N-channel enhancement mode MOSFET |
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| ZXMN6A11Z | ZETEX |
获取价格 |
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| ZXMN6A11Z_06 | ZETEX |
获取价格 |
60V SOT89 N-channel enhancement mode MOSFET |
|
| ZXMN6A11ZTA | DIODES |
获取价格 |
60V SOT89 N-channel enhancement mode MOSFET |
|
| ZXMN6A11ZTA | ZETEX |
获取价格 |
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZXMN6A25 | ZETEX |
获取价格 |
60V SO8 N-channel enhancement mode MOSFET |
|
| ZXMN6A25DN8 | DIODES |
获取价格 |
Dual 60V SO8 N-channel enhancement mode MOSFET |
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| ZXMN6A25DN8 | ZETEX |
获取价格 |
DUAL 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| ZXMN6A25DN8(1) | ZETEX |
获取价格 |
|
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