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ZXMN6A25N8TA

更新时间： 2024-10-14 05:54:39

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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8页	255K
描述
60V SO8 N-channel enhancement mode MOSFET

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ZXMN6A25N8TA 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.26	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	4.3 A	最大漏源导通电阻：	0.05 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	25.7 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZXMN6A25N8TA 数据手册

ZXMN6A25N8

60V SO8 N-channel enhancement mode MOSFET

Summary

V_(BR)DSS

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

0.050 @ V_GS=10V

0.070 @ V_GS=4.5V

7.0

Description

This new generation Trench MOSFET from

Zetex features low on-resistance and fast switching,

making it ideal for high efficiency power management applications.

Features

•

Low on-resistance

Fast switching speed

Low gate drive

SO8 package

Applications

•

DC-DC Converters

Power management functions

Disconnect switches

Motor control

Ordering information

Top view

Device

Reel size

(inches)

Tape width

(mm)

Quantity

per reel

ZXMN6A25N8TA

500

Device marking

ZXMN6A25

Issue 1 - April 2008

www.zetex.com

12 3 4 5 6 7 8

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