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ZXMN6A25DN8TC

更新时间: 2024-10-13 22:29:19
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 244K
描述
DUAL 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

ZXMN6A25DN8TC 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:SOIC-8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.17
Is Samacsys:N配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):3.6 A
最大漏源导通电阻:0.055 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):22 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

ZXMN6A25DN8TC 数据手册

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ZXMN6A25DN8  
DUAL 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
SUMMARY  
V(BR)DSS= 60V: RDS(ON)= 0.055 ; ID= 4.7A  
DESCRIPTION  
This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure  
that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This  
makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management  
applications.  
FEATURES  
SO8  
Low on-resistance  
Fast switching speed  
Low gate drive  
Low profile SOIC package  
APPLICATIONS  
DC - DC Converters  
Power Management Functions  
Motor control  
ORDERING INFORMATION  
REEL TAPE  
QUANTITY  
PER REEL  
PINOUT  
DEVICE  
WIDTH  
12mm  
12mm  
ZXMN6A25DN8TA  
ZXMN6A25DN8TC  
7’‘  
500 units  
13’‘  
2500 units  
DEVICE MARKING  
ZXMN  
6A25D  
Top view  
PROVISIONAL ISSUE B - J UNE 2003  
1
S E M IC O N D U C T O R S  

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