ZXMN6A25GTA

更新时间： 2024-10-14 03:52:27

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管 PC
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8页	655K
描述
60V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET

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ZXMN6A25GTA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TO-261AA, 4 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.23
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	4.8 A	最大漏源导通电阻：	0.05 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-261AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	28.5 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZXMN6A25GTA 数据手册

ZXMN6A25G

60V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET

Summary

(⍀)

I (A)

(BR)DSS

DS(on)

0.050 @ V = 10V

6.7

5.7

0.070 @ V = 4.5V

Description

This new generation trench MOSFET from Zetex features a unique

structure combining the benefits of low on-resistance and fast

switching, making it ideal for high efficiency power management

applications.

Features

•

Low on-resistance

Fast switching speed

Low gate drive

SOT223 package

Applications

•

DC-DC converters

Power management functions

Disconnect switches

Motor control

Pinout - top view

Ordering information

Device

Reel size

(inches)

Tape width

(mm)

Quantity

per reel

ZXMN6A25GTA

1,000

Device marking

ZXMN

6A25

Issue 2 - November 2006

www.zetex.com

12 3 4 5 6 7 8

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