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ZXMN2A02X8TC

更新时间： 2024-10-30 07:42:35

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美台 - DIODES		/
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7页	245K
描述
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMN2A02X8TC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.17
其他特性：	LOW THRESHOLD	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.2 A
最大漏极电流 (ID)：	7.6 A	最大漏源导通电阻：	0.02 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.67 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZXMN2A02X8TC 数据手册

ZXMN2A02X8

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

(BR)DSS

= 20V; R

= 0.02

I = 7.8A

DS(ON)

DESCRIPTION

This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure

that com bines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This

m a ke s the m ide a l for high e fficie ncy, low volta ge , powe r m a na ge m e nt

applications.

MSOP8

FEATURES

•

Low on-resistance

Fast switching speed

Low threshold

Low gate drive

Low profile SOIC package

APPLICATIONS

•

DC - DC Converters

Power Managem ent Functions

Disconnect switches

Motor control

PINOUT

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL

SIZE

TAPE

WIDTH

QUANTITY

PER REEL

ZXMN2A02X8TA

ZXMN2A02X8TC

7”

12m m

1000 units

4000 units

13”

DEVICE MARKING

Top View

•

ZXMN

2A02

ISSUE 2 - J ANUARY 2005

12 3 4 5 6 7

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