ZXMC3A18DN8TC

更新时间： 2024-02-19 07:43:59

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美台 - DIODES		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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12页	681K
描述
Complementary 30V enhancement mode MOSFET

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ZXMC3A18DN8TC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW THRESHOLD	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.6 A
最大漏极电流 (ID)：	5.8 A	最大漏源导通电阻：	0.025 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.1 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	37 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZXMC3A18DN8TC 数据手册

ZXMC3A18DN8

Complementary 30V enhancement mode MOSFET

Summary

N-Channel = V

P-Channel = V

= 30V : R

= 0.025⍀; I = 7.6A

(BR)DSS

DS(on)

= -30V : R

= 0.035⍀; I = -6.3A

(BR)DSS

DS(on)

Description

This new generation of trench MOSFETs from Zetex

utilizes a unique structure that combines the benefits of

low on-resistance with fast switching speed. This makes

them ideal for high efficiency, low voltage, power

management applications.

Features

Q1 N-Channel

Q2 P-Channel

•

Low on-resistance

Fast switching speed

Low threshold

Low gate drive

Low profile SOIC package

Applications

•

Motor Drive

SO8

LCD backlighting

Ordering information

Device

Reel size

(inches)

Tape width

(mm)

Quantity

per reel

ZXMC3A18DN8TC

2500

Device marking

ZXMC

3A18

Issue 2 - September 2007

www.zetex.com

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