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ZXM64P035L3

更新时间: 2024-10-14 07:42:35
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美台 - DIODES 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 105K
描述
35V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

ZXM64P035L3 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.64Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:35 V
最大漏极电流 (ID):12 A最大漏源导通电阻:0.105 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):19 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

ZXM64P035L3 数据手册

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ZXM64P035L3  
35V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
SUMMARY  
V
= -35V: R  
= 0.075 : I = -12A  
DS(on) D  
(BR)DSS  
DESCRIPTION  
This new generation of high cell density planar MOSFETs from Zetex utilises a unique  
structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This  
makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.  
FEATURES  
· Low on-resistance  
· Fast switching speed  
· Low threshold  
· Low gate drive  
· TO220 package  
APPLICATIONS  
· 100W Class D Audio Output Stage  
· Motor Control  
ORDERING INFORMATION  
DEVICE  
MULTIPLES  
ZXM64P035L3  
1000  
DEVICE MARKING  
· ZXM6  
Front View  
4P035  
ISSUE 1 - J UNE 2004  
1

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