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ZVP3310F

更新时间： 2024-01-17 00:18:56
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 115K
描述
SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVP3310F 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.74
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

ZVP3310F 数据手册

 浏览型号ZVP3310F的Datasheet PDF文件第2页 
SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE VERTICAL DMOS FET  
ZVP3310F  
ISSUE 3 – OCTOBER 1995  
✪
FEATURES  
*
*
100 Volt VDS  
S
RDS(on)=20Ω  
D
COMPLEMENTARY TYPE -  
PARTMARKING DETAIL -  
ZVN3310F  
MR  
G
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VDS  
VALUE  
-100  
UNIT  
V
Drain-Source Voltage  
Continuous Drain Current at Tamb=25°C  
Pulsed Drain Current  
ID  
75  
mA  
A
IDM  
-1.2  
Gate Source Voltage  
VGS  
V
± 20  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
330  
mW  
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Drain-Source Breakdown  
Voltage  
BVDSS  
-100  
V
ID=-1mA, VGS=0V  
ID=-1mA, VDS= VGS  
VGS=± 20V, VDS=0V  
Gate-Source Threshold  
Voltage  
VGS(th)  
-1.5  
-3.5  
-20  
V
Gate-Body Leakage  
IGSS  
IDSS  
nA  
Zero Gate Voltage Drain  
Current  
-1  
-50  
VDS=-100V, VGS=0  
µA  
µA  
VDS=-80V, VGS=0V, T=125°C(2)  
On-State Drain Current(1)  
ID(on)  
-300  
50  
mA  
VDS=-25 V, VGS=-10V  
VGS=-10V, ID=-150mA  
Static Drain-Source On-State RDS(on)  
Resistance (1)  
20  
Ω
Forward Transconductance  
(1)(2)  
gfs  
mS  
VDS=-25V, ID=-150mA  
Input Capacitance (2)  
Ciss  
50  
15  
pF  
pF  
Common Source Output  
Capacitance (2)  
Coss  
VDS=-25V, VGS=0V, f=1MHz  
Reverse Transfer  
Capacitance (2)  
Crss  
5
pF  
Turn-On Delay Time (2)(3)  
Rise Time (2)(3)  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
8
8
8
8
ns  
ns  
ns  
ns  
VDD≈-25V, ID=-150mA  
Turn-Off Delay Time (2)(3)  
Fall Time (2)(3)  
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sample test.  
(3) Switching times measured with 50Ω source impedance and <5ns rise time on a pulse generator  
3 - 436  
12

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