5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> ZTX756
ZTX756 PDF预览

ZTX756

更新时间： 2024-11-25 07:42:51
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 54K
描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER

阅读下载

中文翻译

获取价格

ZTX756 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.18
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：200 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PSIP-W3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：30 MHz
Base Number Matches：1

ZTX756 数据手册

 浏览型号ZTX756的Datasheet PDF文件第2页 
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
ZTX756  
ZTX757  
HIGH VOLTAGE TRANSISTORS  
ISSUE 2 – JULY 94  
FEATURES  
*
*
*
300 Volt VCEO  
0.5 Amp continuous current  
Ptot= 1 Watt  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
ZTX756  
-200  
ZTX757  
-300  
UNIT  
Collector-Base Voltage  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-200  
-300  
-5  
-1  
V
Peak Pulse Current  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
IC  
-0.5  
1
A
Ptot  
W
°C  
Operating and Storage Temperature  
Range  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C unless otherwise stated).  
PARAMETER  
SYMBOL  
ZTX756  
ZTX757  
UNIT CONDITIONS.  
MIN. MAX. MIN. MAX.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-200  
-200  
-5  
-300  
-300  
-5  
V
V
V
IC=-100µA, IE=0  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
IC=-10mA, IB=0*  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
IE=-100µA, IC=0  
Collector Cut-Off  
Current  
-100  
-100  
-0.5  
-1.0  
-1.0  
nA  
nA  
VCB=-160V, IE=0  
VCB=-200V, IE=0  
-100  
-100  
Emitter Cut-Off  
Current  
IEBO  
nA  
VEB=-3V, IC=0  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
-0.5  
-1.0  
-1.0  
V
IC=-100mA,  
IB=-10mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
V
IC=-100mA,  
IB=-10mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
V
IC=-100mA, VCE=-5V*  
Static Forward  
Current Transfer  
Ratio  
50  
40  
50  
40  
IC=-100mA, VCE=-5V*  
IC=-10mA, VCE=-5V*  
Transition  
Frequency  
fT  
30  
30  
MHz IC=-10mA, VCE=-20V  
f=20MHz  
Output Capacitance Cobo  
20  
20  
pF  
VCB=-20V, f=1MHz  
3-265  
12

中文翻译

下载PDF

与ZTX756相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ZTX756DA ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | CHIP
ZTX756DB ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | CHIP
ZTX756DC ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | CHIP
ZTX756DWP DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 0.041 X 0.041 INC
ZTX756DWP ZETEX

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 0.041 X 0.041 INC
ZTX756K DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI
ZTX756K ZETEX

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI
ZTX756M1TA DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
ZTX756M1TA ZETEX

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
ZTX756M1TC ZETEX

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

与ZTX756相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证