ZTX757

更新时间： 2024-10-30 07:42:51

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		晶体小信号双极晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	54K
描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ZTX757 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	0.74	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
Base Number Matches：	1

ZTX757 数据手册

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER

ZTX756

ZTX757

HIGH VOLTAGE TRANSISTORS

ISSUE 2 JULY 94

FEATURES

300 Volt V_CEO

0.5 Amp continuous current

P_tot= 1 Watt

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

ZTX756

-200

ZTX757

-300

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-200

-300

-5

-1

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

I_C

-0.5

P_tot

°C

Operating and Storage Temperature

Range

T_j:T_stg

-55 to +200

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C unless otherwise stated).

PARAMETER

SYMBOL

ZTX756

ZTX757

UNIT CONDITIONS.

MIN. MAX. MIN. MAX.

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-200

-5

-300

-5

I_C=-100µA, I_E=0

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

I_C=-10mA, I_B=0*

Emitter-Base

Breakdown Voltage

I_E=-100µA, I_C=0

Collector Cut-Off

Current

-100

-0.5

-1.0

V_CB=-160V, I_E=0

V_CB=-200V, I_E=0

-100

Emitter Cut-Off

Current

I_EBO

V_EB=-3V, I_C=0

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE(on)

h_FE

-0.5

-1.0

I_C=-100mA,

I_B=-10mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

I_C=-100mA,

I_B=-10mA*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

IC=-100mA, V_CE=-5V*

Static Forward

Current Transfer

Ratio

I_C=-100mA, V_CE=-5V*

I_C=-10mA, V_CE=-5V*

Transition

Frequency

f_T

MHz I_C=-10mA, V_CE=-20V

f=20MHz

Output Capacitance C_obo

V_CB=-20V, f=1MHz

3-265

中文翻译

下载PDF

ZTX757 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ZTX757STZ	DIODES	类似代替	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
ZTX753STZ	DIODES	类似代替	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 CO
ZTX614	DIODES	类似代替	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR

与ZTX757相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZTX757DA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 300V V(BR)CEO \| CHIP
ZTX757DB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 300V V(BR)CEO \| CHIP
ZTX757DC	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 300V V(BR)CEO \| CHIP
ZTX757DWP	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 0.041 X 0.041 INC
ZTX757L	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI
ZTX757M1	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI
ZTX757M1TA	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
ZTX757M1TA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
ZTX757M1TC	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
ZTX757SMTA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

与ZTX757相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

18
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

20
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

45
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ZTX757

ZTX757 技术参数

ZTX757 数据手册

ZTX757 替代型号

与ZTX757相关器件

与ZTX757相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ZTX757

ZTX757 技术参数

ZTX757 数据手册

ZTX757 替代型号

与ZTX757相关器件

与ZTX757相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？