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ZTX757STZ PDF预览

ZTX757STZ

更新时间： 2024-10-30 21:10:51
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 78K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX757STZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.14
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PSIP-W3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：30 MHz
Base Number Matches：1

ZTX757STZ 数据手册

 浏览型号ZTX757STZ的Datasheet PDF文件第2页 
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
ZTX756  
ZTX757  
HIGH VOLTAGE TRANSISTORS  
ISSUE 2 – JULY 94  
FEATURES  
*
*
*
300 Volt VCEO  
0.5 Amp continuous current  
Ptot= 1 Watt  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
ZTX756  
-200  
ZTX757  
-300  
UNIT  
Collector-Base Voltage  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-200  
-300  
-5  
-1  
V
Peak Pulse Current  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
IC  
-0.5  
1
A
Ptot  
W
°C  
Operating and Storage Temperature  
Range  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C unless otherwise stated).  
PARAMETER  
SYMBOL  
ZTX756  
ZTX757  
UNIT CONDITIONS.  
MIN. MAX. MIN. MAX.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-200  
-200  
-5  
-300  
-300  
-5  
V
V
V
IC=-100µA, IE=0  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
IC=-10mA, IB=0*  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
IE=-100µA, IC=0  
Collector Cut-Off  
Current  
-100  
-100  
-0.5  
-1.0  
-1.0  
nA  
nA  
VCB=-160V, IE=0  
VCB=-200V, IE=0  
-100  
-100  
Emitter Cut-Off  
Current  
IEBO  
nA  
VEB=-3V, IC=0  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
-0.5  
-1.0  
-1.0  
V
IC=-100mA,  
IB=-10mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
V
IC=-100mA,  
IB=-10mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
V
IC=-100mA, VCE=-5V*  
Static Forward  
Current Transfer  
Ratio  
50  
40  
50  
40  
IC=-100mA, VCE=-5V*  
IC=-10mA, VCE=-5V*  
Transition  
Frequency  
fT  
30  
30  
MHz IC=-10mA, VCE=-20V  
f=20MHz  
Output Capacitance Cobo  
20  
20  
pF  
VCB=-20V, f=1MHz  
3-265  
12

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