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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> ZTX757SMTC
ZTX757SMTC PDF预览

ZTX757SMTC

更新时间： 2024-10-30 13:02:51
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管高压局域网
页数 文件大小 规格书
2页 53K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX757SMTC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.23最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：300 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PSSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：30 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

ZTX757SMTC 数据手册

 浏览型号ZTX757SMTC的Datasheet PDF文件第2页 
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
ZTX756  
ZTX757  
HIGH VOLTAGE TRANSISTORS  
ISSUE 2 – JULY 94  
FEATURES  
*
*
*
300 Volt VCEO  
0.5 Amp continuous current  
Ptot= 1 Watt  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
ZTX756  
-200  
ZTX757  
-300  
UNIT  
Collector-Base Voltage  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-200  
-300  
-5  
-1  
V
Peak Pulse Current  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
IC  
-0.5  
1
A
Ptot  
W
°C  
Operating and Storage Temperature  
Range  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C unless otherwise stated).  
PARAMETER  
SYMBOL  
ZTX756  
ZTX757  
UNIT CONDITIONS.  
MIN. MAX. MIN. MAX.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-200  
-200  
-5  
-300  
-300  
-5  
V
V
V
IC=-100µA, IE=0  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
IC=-10mA, IB=0*  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
IE=-100µA, IC=0  
Collector Cut-Off  
Current  
-100  
-100  
-0.5  
-1.0  
-1.0  
nA  
nA  
VCB=-160V, IE=0  
VCB=-200V, IE=0  
-100  
-100  
Emitter Cut-Off  
Current  
IEBO  
nA  
VEB=-3V, IC=0  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
-0.5  
-1.0  
-1.0  
V
IC=-100mA,  
IB=-10mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
V
IC=-100mA,  
IB=-10mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
V
IC=-100mA, VCE=-5V*  
Static Forward  
Current Transfer  
Ratio  
50  
40  
50  
40  
IC=-100mA, VCE=-5V*  
IC=-10mA, VCE=-5V*  
Transition  
Frequency  
fT  
30  
30  
MHz IC=-10mA, VCE=-20V  
f=20MHz  
Output Capacitance Cobo  
20  
20  
pF  
VCB=-20V, f=1MHz  
3-265  
12

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