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Z02W4.7V

更新时间: 2024-09-14 22:14:47
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KEC 二极管齐纳二极管测试光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 93K
描述
ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

Z02W4.7V 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:SOT-23包装说明:R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.76Is Samacsys:N
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.2 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:4.65 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5.38%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

Z02W4.7V 数据手册

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Z02W2.0V~24V  
SEMICONDUCTOR  
ZENER DIODE  
TECHNICAL DATA  
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE  
CONSTANT VOLTAGE REGULATION APPLICATION.  
REFERENCE VOLTAGE APPLICATION.  
E
L
B
L
FEATURES  
DIM  
A
MILLIMETERS  
2.93+0.20  
Small Package : SOT-23  
Normal Voltage Tolerance About 2.5%.  
_
B
C
D
E
G
H
J
1.30+0.20/-0.15  
1.30 MAX  
0.45+0.15/-0.05  
2.40+0.30/-0.20  
1.90  
2
3
1
0.95  
0.13+0.10/-0.05  
MAXIMUM RATING (Ta=25)  
K
L
0.00 - 0.10  
0.55  
P
P
CHARACTERISTIC  
Power Dissipation  
SYMBOL  
RATING  
200  
UNIT  
mW  
0.20 MIN  
1.00+0.20/-0.10  
7
M
N
P
PD  
Tj  
M
Junction Temperature  
150  
3
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55150  
1. NC  
2. ANODE  
3. CATHODE  
2
1
SOT-23  
Marking  
Example 1) 2.0V ~ 3.9V  
Example 2) 4.3V ~ 9.1V  
Example 3) 10V ~ 24V  
Grade  
Grade  
Grade  
Lot No.  
Lot No.  
Lot No.  
Type Name  
Type Name  
Type Name  
4.3  
10  
TYPE NAME : Z02W2.0V  
Z02W2.2V  
2A  
2B  
2C  
2D  
30  
33  
36  
39  
Example : Z02W4.3V  
Example : Z02W10V  
Z02W2.4V  
Z02W2.7V  
Z02W3.0V  
Z02W3.3V  
Z02W3.6V  
Z02W3.9V  
2001. 7. 9  
Revision No : 4  
1/5  

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