Datasheet > XP4401

XP4401

更新时间： 2024-01-06 03:38:55

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	44K
描述
Silicon NPN(PNP) epitaxial planer transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

XP4401 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

XP4401 数据手册

Composite Transistors

XP4401

Silicon PNP epitaxial planer transistor

Unit: mm

For general amplification

2.1±0.1

0.425

1.25±0.1

0.425

Features

■

●

Two elements incorporated into one package.

Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.

●

Basic Part Number of Element

2SB709A × 2 elements

■

●

0.2±0.1

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

1 : Emitter (Tr1)

2 : Base (Tr1)

3 : Collector (Tr2) 6 : Collector (Tr1)

EIAJ : SC–88

4 : Emitter (Tr2)

5 : Base (Tr2)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

–60

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Peak collector current

Total power dissipation

S–Mini Type Package (6–pin)

–50

Rating

element

–7

Marking Symbol: 5K

Internal Connection

–100

˚C

I_CP

–200

P_T

150

Tr1

Overall Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

T_stg

–55 to +150

˚C

Tr2

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

Conditions

min

–60

–50

–7

typ

max

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

I_C= –10µA, I_E= 0

V_CEO

V_EBO

I_CBO

I_CEO

h_FE

I_C= –2mA, I_B= 0

I_E= –10µA, I_C= 0

V_CB= –20V, I_E= 0

– 0.1

–100

460

µA

Collector cutoff current

V_CE= –10V, I_B= 0

Forward current transfer ratio

V_CE= –10V, I_C= –2mA

I_C= –100mA, I_B= –10mA

V_CB= –10V, I_E= 1mA, f = 200MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

160

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

– 0.3

– 0.5

MHz

Transition frequency

f_T

Collector output capacitance

C_ob

2.7

12 3

中文翻译

下载PDF

与XP4401相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
XP4401TX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
XP440E-B356	ETC	获取价格	FPGA
XP440E-B652	ETC	获取价格	FPGA
XP440E-BG432	ETC	获取价格	FPGA
XP440E-BG560	ETC	获取价格	FPGA
XP440E-F324	ETC	获取价格	FPGA
XP440E-F484	ETC	获取价格	FPGA
XP440E-F672	ETC	获取价格	FPGA
XP440E-FG456	ETC	获取价格	FPGA
XP440E-FG676	ETC	获取价格	FPGA