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X2N5434 PDF预览

X2N5434

更新时间： 2024-11-05 22:12:51
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CALOGIC 开关
页数 文件大小 规格书
2页 26K
描述
N-Channel JFET Switch

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X2N5434 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DIE
包装说明：UNCASED CHIP, R-XUUC-N3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.90.00.00风险等级：5.32
配置：SINGLE最大漏极电流 (ID)：0.4 A
最大漏源导通电阻：10 ΩFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：15 pFJESD-30 代码：R-XUUC-N3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：UNCASED CHIP峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

X2N5434 数据手册

 浏览型号X2N5434的Datasheet PDF文件第2页 
N-Channel JFET Switch  
CORPORATION  
2N5434  
FEATURES  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
(TA = 25oC unless otherwise noted)  
Low rds(on)  
Excellent Switching  
Low Cutoff Current  
•
•
Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -25V  
Gate-Drain Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -25V  
Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA  
Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400mA  
Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . . -65oC to +200oC  
Operating Temperature Range . . . . . . . . . . . -55oC to +150oC  
Lead Temperature (Soldering, 10sec) . . . . . . . . . . . . . +300oC  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW  
Derate above 25oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3mW/oC  
•
PIN CONFIGURATION  
NOTE: Stresses above those listed under "Absolute Maximum  
Ratings" may cause permanent damage to the device. These are  
stress ratings only and functional operation of the device at these or  
any other conditions above those indicated in the operational sections  
of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum  
rating conditions for extended periods may affect device reliability.  
(TO-52)  
ORDERING INFORMATION  
Part  
Package  
Temperature Range  
G, C  
-55oC to +150oC  
S
2N5434  
X2N5434  
Hermetic TO-52  
Sorted Chips in Carriers  
D
-55oC to +150oC  
5018  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25oC unless otherwise specified)  
2N5434  
SYMBOL  
PARAMETER  
Gate Reverse Current  
UNITS  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
-200  
-200  
pA  
nA  
V
GS = -15V, VDS = 0  
TA = 150oC  
IG = -1µA, VDS = 0  
DS = 5V, VGS = -10V  
TA = 150oC  
IGSS  
BVGSS  
ID(off)  
Gate-Source Breakdown Voltage  
Drain Cutoff Current  
-25  
V
200  
200  
-4  
pA  
V
nA  
VGS(off)  
IDSS  
rDS(on)  
VDS(on)  
rds(on)  
Ciss  
Crss  
td  
Gate-Source Cutoff Voltage  
-1  
V
VDS = 5V, ID = 3nA  
VDS = 15V, VGS = 0  
Saturation Drain Current (Note 1)  
Static Drain-Source ON Resistance  
Drain-Source ON Voltage  
30  
mA  
ohm  
mV  
ohm  
10  
100  
10  
30  
15  
4
VGS = 0, ID = 10mA  
Drain-Source ON Resistance  
Common-Source Input Capacitance (Note2)  
Common-Source Reverse Transfer Capacitance (Note 2)  
Turn-ON Delay Time (Note 2)  
Rise Time (Note 2)  
VGS = 0, ID = 0 f = 1kHz  
V
V
DS = 0,  
pF  
f = 1MHz  
GS = -10 V  
V
V
V
DD = 1.5V,  
GS(on) = 0,  
GS(off) = -12V,  
D(on) = 10mA  
tr  
1
ns  
toff  
Turn-OFF Delay Time (Note 2)  
Fall Time (Note 2)  
6
I
tf  
30  
NOTES: 1. Pulse test required, pulsewidth 300µs, duty cycle ≤3%.  
2. For design reference only, not 100% tested.  
12

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