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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIE | 包装说明： | DIE |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.90.00.00 | 风险等级： | 5.64 |
| 配置： | SINGLE | 最大漏极电流 (ID)： | 0.03 A |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 1 pF |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | X-XUUC-N |
| 元件数量： | 1 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 135 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | UNSPECIFIED | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.31 W | 最小功率增益 (Gp)： | 16 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| X2N5485 | CALOGIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| X2N5486 | CALOGIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
|
| X2N5523 | CALOGIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET |
|
| X2N5524 | CALOGIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET |
|
| X2N5905 | CALOGIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET |
|
| X2N5909 | CALOGIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET |
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| X2N5911 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 25V V(BR)DSS | 40MA I(DSS) | CHIP |
|
| X2N5912 | CALOGIC |
获取价格 |
Dual N-Channel JFET High Frequency Amplifier |
|
| X2N6485 | CALOGIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET |
|
| X2N7000 | CALOGIC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistor |
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