是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | QCCJ, | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.11 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 120 ns |
其他特性: | SOFTWARE DATA PROTECTION; 64 BYTE PAGE WRITE; 100 YEARS DATA RETENTION | 数据保留时间-最小值: | 100 |
JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 13.97 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8KX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.56 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 11.43 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
X28HC64J-50 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HC64J-55 | XICOR |
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EEPROM, 8KX8, 55ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
X28HC64J-70 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HC64J-70 | INTERSIL |
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5 Volt, Byte Alterable EEPROM | |
X28HC64J-70T1 | XICOR |
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EEPROM, 8KX8, 70ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
X28HC64J-70T2 | RENESAS |
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EEPROM, 8KX8, 70ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
X28HC64J-90 | INTERSIL |
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5 Volt, Byte Alterable EEPROM | |
X28HC64J-90 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HC64J-90T1 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
X28HC64J-90-T1 | RENESAS |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PQCC32 |