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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FRIT SEALED, CERAMIC, LCC-32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.63 | 最长访问时间： | 350 ns |
| 命令用户界面： | NO | 数据轮询： | YES |
| 耐久性： | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-GQCC-N32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 13.97 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | QCCN |
| 封装等效代码： | LCC32,.45X.55 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 页面大小： | 64 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.048 mm | 最大待机电流： | 0.0002 A |
| 子类别： | EEPROMs | 最大压摆率： | 0.06 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 切换位： | YES | 宽度： | 11.43 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| X28C256GMB | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 300ns, Parallel, CMOS, CQCC32, FRIT SEALED, CERAMIC, LCC-32 |
|
| X28C256J | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM |
|
| X28C256J-15 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| X28C256J-15C7000 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PQCC32, |
|
| X28C256J-15T1 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| X28C256J-20 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM |
|
| X28C256J-20T1 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| X28C256J-20T3 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| X28C256J-25 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM |
|
| X28C256J-25T1 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
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