生命周期: | Obsolete | 包装说明: | QCCJ, |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.82 |
最长访问时间: | 200 ns | 其他特性: | 100000 ENDURANCE WRITE CYCLES; 100 YEARS DATA RETENTION |
数据保留时间-最小值: | 100 | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 | 长度: | 13.97 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.56 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 宽度: | 11.43 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
X28C256JM-25 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C256JM-35 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C256JM-35T1 | XICOR |
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EEPROM, 32KX8, 350ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
X28C256JMB | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C256JMB-15 | XICOR |
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EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
X28C256JMB-20 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C256JMB-25 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C256JMB-35 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C256K | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C256K-15 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CPGA28, CERAMIC, PGA-28 |