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X28C256JMB

更新时间： 2024-10-31 22:41:23
品牌 Logo 应用领域
XICOR 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
24页 114K
描述
5 Volt, Byte Alterable E2PROM

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X28C256JMB 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：QCCJ,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.82
Is Samacsys：N最长访问时间：300 ns
其他特性：100000 ENDURANCE WRITE CYCLES; 100 YEARS DATA RETENTION数据保留时间-最小值：100
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PQCC-J32
长度：13.97 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：32KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：MIL-STD-883
座面最大高度：3.56 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
宽度：11.43 mm最长写入周期时间 (tWC)：10 ms
Base Number Matches：1

X28C256JMB 数据手册

 浏览型号X28C256JMB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号X28C256JMB的Datasheet PDF文件第3页浏览型号X28C256JMB的Datasheet PDF文件第4页浏览型号X28C256JMB的Datasheet PDF文件第5页浏览型号X28C256JMB的Datasheet PDF文件第6页浏览型号X28C256JMB的Datasheet PDF文件第7页 
256K  
X28C256  
32K x 8 Bit  
5 Volt, Byte Alterable E2PROM  
FEATURES  
DESCRIPTION  
2
• Access Time: 200ns  
• Simple Byte and Page Write  
— Single 5V Supply  
—No External High Voltages or V Control  
Circuits  
— Self-Timed  
The X28C256 is an 32K x 8 E PROM, fabricated with  
Xicor’s proprietary, high performance, floating gate  
CMOS technology. Like all Xicor programmable non-  
volatile memories the X28C256 is a 5V only device. The  
X28C256 features the JEDEC approved pinout for byte-  
widememories,compatiblewithindustrystandardRAMs.  
PP  
—No Erase Before Write  
—No Complex Programming Algorithms  
—No Overerase Problem  
• Low Power CMOS:  
The X28C256 supports a 64-byte page write operation,  
effectively providing a 78µs/byte write cycle and en-  
abling the entire memory to be typically written in less  
than 2.5 seconds. The X28C256 also features DATA  
and Toggle Bit Polling, a system software support  
scheme used to indicate the early completion of a write  
cycle. In addition, the X28C256 includes a user-optional  
software data protection mode that further enhances  
Xicor’s hardware write protect capability.  
—Active: 60mA  
—Standby: 200µA  
• Software Data Protection  
— Protects Data Against System Level  
Inadvertent Writes  
• High Speed Page Write Capability  
™
• Highly Reliable Direct Write Cell  
2
Xicor E PROMs are designed and tested for applica-  
— Endurance: 100,000 Write Cycles  
— Data Retention: 100 Years  
• Early End of Write Detection  
— DATA Polling  
tions requiring extended endurance. Inherent data re-  
tention is greater than 100 years.  
—Toggle Bit Polling  
PIN CONFIGURATION  
LCC  
PLCC  
PLASTIC DIP  
CERDIP  
FLAT PACK  
SOIC  
TSOP  
A
A
A
I/O  
I/O  
I/O  
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A
A
A
A
A
A
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V
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0
0
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A14  
1
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V
CC  
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2
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2
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12  
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A
A
A
A
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4
CE  
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I/O  
I/O  
0
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A
I/O  
0
I/O  
1
I/O  
2
OE  
10  
14 15 16 17 18 19 20  
3855 ILL F23  
V
I/O  
3
SS  
3855 FHD F03  
3855 FHD F02  
© Xicor, Inc. 1991, 1995 Patents Pending  
3855-1.9 8/1/97 T1/C0/D8 EW  
Characteristics subject to change without notice  
1
1234567...24

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与X28C256JMB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
X28C256JMB-15 XICOR

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 		EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
X28C256JMB-20 XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C256JMB-25 XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C256JMB-35 XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C256K XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C256K-15 XICOR

获取价格

 		EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CPGA28, CERAMIC, PGA-28
X28C256K-20 XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C256K-25 XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C256K-35 XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C256KI XICOR

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