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X22C10SIC7000

更新时间: 2024-02-19 03:00:11
品牌 Logo 应用领域
XICOR 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 508K
描述
Non-Volatile SRAM, 64X4, 120ns, CMOS, PDSO16,

X22C10SIC7000 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.87
最长访问时间:120 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G16
JESD-609代码:e0内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM
内存宽度:4端子数量:16
字数:64 words字数代码:64
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:64X4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP16,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
电源:5 V认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs最大压摆率:0.1 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

X22C10SIC7000 数据手册

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