是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.87 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 120 ns | 其他特性: | EEPROM SOFTWARE STORE/RECALL; RETENTION/ENDURANCE - 100 YEARS/100000 CYCLES |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T18 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 22.975 mm | 内存密度: | 256 bit |
内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度: | 4 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 18 | 字数: | 64 words |
字数代码: | 64 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 64X4 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | NO | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP18,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.7 mm | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
X22C10PM | XICOR |
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Nonvolatile Static RAM | |
X22C10PMB | XICOR |
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Nonvolatile Static RAM | |
X22C10S | XICOR |
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Nonvolatile Static RAM | |
X22C10SC7000 | XICOR |
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Non-Volatile SRAM, 64X4, 120ns, CMOS, PDSO16, | |
X22C10SI | XICOR |
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Nonvolatile Static RAM | |
X22C10SIC7000 | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 64X4, 120ns, CMOS, PDSO16, | |
X22C10SIT1 | XICOR |
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Non-Volatile SRAM, 64X4, 120ns, CMOS, PDSO16, 0.150 INCH, SOIC-16 | |
X22C10SM | XICOR |
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Nonvolatile Static RAM | |
X22C10SMB | XICOR |
获取价格 |
Nonvolatile Static RAM | |
X22C10SMC7000 | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 64X4, 120ns, CMOS, PDSO16, |