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WS512K32NBV-17G2MEA

更新时间： 2024-02-17 11:15:13

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描述
512Kx32 3.3V SRAM MODULE

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WS512K32NBV-17G2MEA 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.55	最长访问时间：	17 ns
其他特性：	CONFIGURABLE AS 1M X 16 OR 512K X 32	JESD-30 代码：	S-CQMA-G68
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	SRAM MODULE
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	68	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	2MX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	BICMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	QUAD
Base Number Matches：	1

WS512K32NBV-17G2MEA 数据手册

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WS512K32BV-XXXE

512Kx32 3.3V SRAM MODULE PRELIMINARY*

FEATURES

■ Access Times of 15^†, 17, 20ns

■ MIL-STD-883 Compliant Devices Available

■ Low Voltage Operation

■ Commercial, Industrial and Military Temperature Ranges

■ 3.3 Volt Power Supply

■ BiCMOS

■ TTL Compatible Inputs and Outputs

■ Packaging

■ Built-in Decoupling Caps and Multiple Ground Pins for Low

• 66-pin, PGA Type, 1.385 inch square Hermetic Ceramic HIP

(Package 402)

Noise Operation

■ Weight

• 68 lead, Hermetic CQFP (G2), 22mm (0.880 inch) square

(Package 500). Designed to fit JEDEC 68 lead 0.990" CQFJ

footprint

WS512K32BV-XG2XE - 8 grams typical

WS512K32NBV-XH2XE - 13 grams typical

■ Organized as 512Kx32; User Configurable as 1Mx16 or 2Mx8

■ Radiation Tolerant with Epitaxial Layer Die

This data sheet describes a product under development, not fully

characterized, and is subject to change without notice.

† This speed is Advanced information.

PIN CONFIGURATION FOR WS512K32NBV-XH2XE

TOP VIEW

PIN DESCRIPTION

I/O0-31 Data Inputs/Outputs

A0-18

WE1-4

CS1-4

Address Inputs

Write Enables

Chip Selects

Output Enable

Power Supply

Ground

I/O

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

I/O24

I/O25

I/O26

I/O31

I/O30

I/O29

I/O28

CS2

I/O10

GND

I/O11

VCC

I/O27

GND

A10

A11

A12

VCC

Not Connected

A18

BLOCK DIAGRAM

WE1

WE₁CS₁

WE₂CS₂

WE₃CS₃

WE₄CS₄

I/O

I/O23

I/O22

I/O21

I/O20

0-18

I/O

I/O16

I/O17

I/O18

512K x 8

GND

I/O¹⁹

I/O16-23

I/O24-31

I/O0-7

I/O8-15

February 1998

White Microelectronics • Phoenix, AZ • (602) 437-1520

12 3 4 5 6 7 8

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WS512K32NBV-17H2ME	WEDC	获取价格	SRAM Module, 2MX8, 17ns, BICMOS, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP
WS512K32NBV-17H2MEA	ETC	获取价格	512Kx32 3.3V SRAM MODULE
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