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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.61 |
| 最长访问时间： | 20 ns | 其他特性： | CONFIGURABLE AS 1M X 16 OR 512K X 32 |
| JESD-30 代码： | S-CQMA-G68 | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 68 |
| 字数： | 2097152 words | 字数代码： | 2000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 2MX8 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | BICMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WS512K32NBV-20G2IEA | WEDC |
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512Kx32 3.3V SRAM MODULE |
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| WS512K32NBV-20G2ME | ETC |
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512Kx32 3.3V SRAM MODULE |
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| WS512K32NBV-20G2MEA | ETC |
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512Kx32 3.3V SRAM MODULE |
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| WS512K32NBV-20H2 | ETC |
获取价格 |
512Kx32 3.3V SRAM MODULE |
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| WS512K32NBV-20H2CE | WEDC |
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512Kx32 3.3V SRAM MODULE |
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| WS512K32NBV-20H2CEA | WEDC |
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512Kx32 3.3V SRAM MODULE |
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| WS512K32NBV-20H2IE | WEDC |
获取价格 |
512Kx32 3.3V SRAM MODULE |
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| WS512K32NBV-20H2IEA | WEDC |
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512Kx32 3.3V SRAM MODULE |
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| WS512K32NBV-20H2ME | WEDC |
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SRAM Module, 2MX8, 20ns, BICMOS, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP |
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| WS512K32NBV-20H2MEA | WEDC |
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SRAM Module, 2MX8, 20ns, BICMOS, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP |
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