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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | HERMETIC SEALED, CERAMIC, QFP-68 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.55 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 100 ns |
| JESD-30 代码： | S-CQMA-G68 | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 32 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 68 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 512KX32 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | QUAD | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WS512K32NV-100HC | MICROSEMI |
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SRAM Module, 512KX32, 100ns, CMOS, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, CERAMIC, HIP-66 |
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| WS512K32NV-100HCA | MICROSEMI |
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SRAM Module, 512KX32, 100ns, CMOS, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, CERAMIC, HIP-66 |
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| WS512K32NV-100HIA | MICROSEMI |
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SRAM Module, 512KX32, 100ns, CMOS, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, CERAMIC, HIP-66 |
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| WS512K32NV-100HM | MICROSEMI |
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SRAM Module, 512KX32, 100ns, CMOS, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, CERAMIC, HIP-66 |
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| WS512K32NV-100HMA | MICROSEMI |
获取价格 |
SRAM Module, 512KX32, 100ns, CMOS, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, CERAMIC, HIP-66 |
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| WS512K32NV-100HQ | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 512KX32, 100ns, CMOS, CHIP66, CERAMIC, HIP-66 |
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| WS512K32NV-100HQA | WEDC |
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Standard SRAM, 512KX32, 100ns, CMOS, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, |
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| WS512K32NV-120G2TC | MICROSEMI |
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SRAM Module, 512KX32, 120ns, CMOS, CQFP68, QFP-68 |
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| WS512K32NV-120G2TCA | MICROSEMI |
获取价格 |
SRAM Module, 512KX32, 120ns, CMOS, CQFP68, QFP-68 |
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| WS512K32NV-120G2TIA | MICROSEMI |
获取价格 |
SRAM Module, 512KX32, 120ns, CMOS, CQFP68, QFP-68 |
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