是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.61 |
最长访问时间: | 20 ns | 其他特性: | CONFIGURABLE AS 1M X 16 OR 512K X 32 |
JESD-30 代码: | S-CQMA-G68 | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | SRAM MODULE | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 68 |
字数: | 2097152 words | 字数代码: | 2000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 2MX8 |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | BICMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WS512K32NBV-20G2IE | WEDC |
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512Kx32 3.3V SRAM MODULE |
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WS512K32NBV-20G2IEA | WEDC |
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512Kx32 3.3V SRAM MODULE |
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WS512K32NBV-20G2ME | ETC |
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512Kx32 3.3V SRAM MODULE |
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WS512K32NBV-20G2MEA | ETC |
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512Kx32 3.3V SRAM MODULE |
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WS512K32NBV-20H2 | ETC |
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512Kx32 3.3V SRAM MODULE |
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WS512K32NBV-20H2CE | WEDC |
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512Kx32 3.3V SRAM MODULE |
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WS512K32NBV-20H2CEA | WEDC |
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512Kx32 3.3V SRAM MODULE |
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WS512K32NBV-20H2IE | WEDC |
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512Kx32 3.3V SRAM MODULE |
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WS512K32NBV-20H2IEA | WEDC |
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512Kx32 3.3V SRAM MODULE |
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WS512K32NBV-20H2ME | WEDC |
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SRAM Module, 2MX8, 20ns, BICMOS, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP |
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