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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.7 | 最长访问时间： | 100 ns |
| JESD-30 代码： | R-CDIP-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 8388608 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1MX8 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.13 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WS1M8V-100CM | MICROSEMI |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX8, 100ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, HERMETIC SEALED, SIDE |
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| WS1M8V-100CMA | MICROSEMI |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX8, 100ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32 |
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| WS1M8V-17CC | WEDC |
获取价格 |
2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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| WS1M8V-17CCA | WEDC |
获取价格 |
2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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| WS1M8V-17CI | WEDC |
获取价格 |
2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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| WS1M8V-17CIA | WEDC |
获取价格 |
2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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| WS1M8V-17CM | WEDC |
获取价格 |
2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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| WS1M8V-17CMA | WEDC |
获取价格 |
2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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| WS1M8V-20CC | WEDC |
获取价格 |
2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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| WS1M8V-20CCA | WEDC |
获取价格 |
2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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