是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.7 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 17 ns |
JESD-30 代码: | R-CDIP-T32 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 8388608 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 1MX8 | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DIP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
WS1M8V-20CC | WEDC | 2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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WS1M8V-20CCA | WEDC | 2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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WS1M8V-20CI | WEDC | 2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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WS1M8V-20CIA | WEDC | 2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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WS1M8V-20CM | WEDC | 2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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WS1M8V-20CMA | WEDC | 2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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