5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.7 |
| 最长访问时间： | 45 ns | JESD-30 代码： | R-CDIP-T32 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 1MX8 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WS1M8V-45CMA | WEDC |
获取价格 |
2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
|
| WS1M8V-55CC | WEDC |
获取价格 |
2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
|
| WS1M8V-55CCA | WEDC |
获取价格 |
2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
|
| WS1M8V-55CI | WEDC |
获取价格 |
2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
|
| WS1M8V-55CIA | WEDC |
获取价格 |
2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
|
| WS1M8V-55CM | WEDC |
获取价格 |
2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
|
| WS1M8V-55CMA | WEDC |
获取价格 |
2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
|
| WS1M8V-70CCA | MICROSEMI |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX8, 70ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, HERMETIC SEALED, SIDE |
|
| WS1M8V-70CI | MICROSEMI |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX8, 70ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, HERMETIC SEALED, SIDE |
|
| WS1M8V-70CIA | MICROSEMI |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX8, 70ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, HERMETIC SEALED, SIDE |
|
LTM4644/LTM4644-1：创新的四输出同步降压微模块调节器
2N3500：一款多用途NPN硅晶体管的全面解析
最详细资料解析：BA5917AFP参数说明、引脚说明
MAX232IDR数据手册：产品特性、电气参数、替代型号推荐
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
