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WS1M8V-70CM

更新时间： 2024-01-28 21:44:25

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
5页	138K
描述
Standard SRAM, 1MX8, 70ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

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WS1M8V-70CM 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.7
最长访问时间：	70 ns	JESD-30 代码：	R-CDIP-T32
JESD-609代码：	e4	长度：	42.2 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	1MX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	GOLD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

WS1M8V-70CM 数据手册

WS1M8V-XCX

2x512Kx8 DUALITHIC™ SRAM ADVANCED*

FEATURES

■ Access Times 70, 85, 100ns

PIN CONFIGURATION FOR WS1M8V-XCX

■ Evolutionary, Corner Power/Ground Pinout

■ Packaging:

32 DIP

TOP VIEW

A18

A16

A14

A12

• 32 pin, Hermetic Ceramic DIP (Package 300)

■ Organized as two banks of 512Kx8

■ Commercial, Industrial and Military Temperature Ranges

■ 3.3V Power Supply

31 A15

30 A17

29 WE

28 A13

27 A8

26 A9

■ Low Power CMOS

25 A11

24 CS2

23 A10

22 CS1

21 I/O7

20 I/O6

19 I/O5

18 I/O4

17 I/O3

■ TTL Compatible Inputs and Outputs

■ Output Enable Internally tied to GND.

This data sheet describes a product that may or may not be under

I/O0

I/O1

I/O2

GND

development and is subject to change or cancellation without notice.

PIN DESCRIPTION

A0-18

Address Inputs

Data Input/Output

Chip Selects

I/O0-7

CS1-2

Write Enable

VCC

+3.3V Power Supply

Ground

GND

BLOCK DIAGRAM

I/O0-7

0-18

512K x 8

CS1⁽¹⁾

CS2⁽¹⁾

NOTE:

1. CS¹and CS2 are used to select the lower and upper 512Kx8 of the

device. CS1 and CS2 must not be enabled at the same time.

White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.whiteedc.com

February 2000 Rev. 2

12 3 4 5

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与WS1M8V-70CM相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
WS1M8V-85CC	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 85ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, HERMETIC SEALED, SIDE
WS1M8V-85CCA	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 85ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, HERMETIC SEALED, SIDE
WS1M8V-85CI	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 85ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, HERMETIC SEALED, SIDE
WS1M8V-85CIA	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 85ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, HERMETIC SEALED, SIDE
WS1M8V-85CM	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 85ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, HERMETIC SEALED, SIDE
WS1M8V-85CMA	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 85ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, HERMETIC SEALED, SIDE
WS1M8V-XCX	WEDC	获取价格	2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM
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WS1M8-XDJX	ETC	获取价格	SRAM MCP
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