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WMS512K8-85CQ

更新时间： 2024-02-24 06:16:29

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
5页	139K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

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WMS512K8-85CQ 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.26
最长访问时间：	85 ns	JESD-30 代码：	R-CDIP-T32
JESD-609代码：	e4	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	512KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.13 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	GOLD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
WMS512K8-85DEC	MERCURY	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, CDSO32,
WMS512K8-85DECE	MERCURY	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32
WMS512K8-85DECEA	WEDC	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32
WMS512K8-85DEI	MERCURY	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32
WMS512K8-85DEIEA	MERCURY	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32
WMS512K8-85DEM	MERCURY	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32
WMS512K8-85DEME	WEDC	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32
WMS512K8-85DEME	MERCURY	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32
WMS512K8-85DEMEA	MERCURY	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32
WMS512K8-85DJC	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, SOJ-36