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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SOJ, |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.48 |
| 最长访问时间： | 85 ns | JESD-30 代码： | R-CDSO-J36 |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 36 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 512KX8 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | SOJ | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | J BEND |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 11.23 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WMS512K8-85DJM | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, SOJ-36 |
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| WMS512K8-85DJQ | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, SOJ-36 |
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| WMS512K8-85FC | MICROSEMI |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, FP-36 |
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| WMS512K8-85FI | MICROSEMI |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, FP-36 |
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| WMS512K8-85FM | MICROSEMI |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, FP-36 |
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| WMS512K8-85FQ | MICROSEMI |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, FP-36 |
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| WMS512K8B-15CIE | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CDIP32, |
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| WMS512K8B-15DEIE | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CDSO32, |
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| WMS512K8B-15FCE | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CDFP36, |
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| WMS512K8B-15FEIE | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CDFP32, |
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