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WMS512K8-85FQ

更新时间: 2024-11-01 20:22:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 静态存储器
页数 文件大小 规格书
5页 139K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, FP-36

WMS512K8-85FQ 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred零件包装代码:DFP
包装说明:CERAMIC, FP-36针数:36
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.17
最长访问时间:85 nsJESD-30 代码:R-CDFP-F36
JESD-609代码:e4长度:23.37 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:36字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:512KX8封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DFP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.18 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:GOLD
端子形式:FLAT端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:12.95 mmBase Number Matches:1

WMS512K8-85FQ 数据手册

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