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WMS512K8-85DEI

更新时间: 2024-09-25 20:20:15
品牌 Logo 应用领域
玛居礼 - MERCURY 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 125K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32

WMS512K8-85DEI 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SOJ,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.56
最长访问时间:85 nsJESD-30 代码:R-CDSO-J32
JESD-609代码:e4内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512KX8
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:GOLD
端子形式:J BEND端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:11.23 mm
Base Number Matches:1

WMS512K8-85DEI 数据手册

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