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WF2M32B-120HM5

更新时间: 2023-04-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 327K
描述
Flash Module, 8MX8, 120ns, CHIP66,

WF2M32B-120HM5 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.75最长访问时间:120 ns
其他特性:USER CONFIGURABLE AS 4M X 16 OR 2M X 32; 100000 WRITE/ERASE CYCLES MINJESD-30 代码:S-CPGA-P66
JESD-609代码:e4长度:30.1 mm
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:FLASH MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:66字数:8388608 words
字数代码:8000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:8MX8封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:PGA封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:6.22 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:GOLD端子形式:PIN/PEG
端子节距:2.54 mm端子位置:PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED类型:NOR TYPE
宽度:30.1 mm

WF2M32B-120HM5 数据手册

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