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WF2M32BI-150HI5

更新时间: 2023-02-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 327K
描述
Flash Module, 8MX8, 150ns, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66

WF2M32BI-150HI5 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred包装说明:PGA,
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.44
最长访问时间:150 ns其他特性:USER CONFIGURABLE AS 4M X 16 OR 2M X 32; 100000 WRITE/ERASE CYCLES MIN
JESD-30 代码:S-CPGA-P66JESD-609代码:e4
长度:30.1 mm内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:FLASH MODULE内存宽度:8
功能数量:1端子数量:66
字数:8388608 words字数代码:8000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:8MX8
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:PGA
封装形状:SQUARE封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:6.22 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:GOLD
端子形式:PIN/PEG端子节距:2.54 mm
端子位置:PERPENDICULAR处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:30.1 mm

WF2M32BI-150HI5 数据手册

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