5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.66 | 最长访问时间： | 120 ns |
| 其他特性： | USER CONFIGURABLE AS 4M X 16 OR 2M X 32; 100000 WRITE/ERASE CYCLES MIN | JESD-30 代码： | S-CQFP-G68 |
| 内存密度： | 67108864 bit | 内存集成电路类型： | FLASH MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 68 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8MX8 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLATPACK |
| 并行/串行： | PARALLEL | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | QUAD | 类型： | NOR TYPE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WF2M32B-120G2UC5A | MICROSEMI |
获取价格 |
Flash Module, 8MX8, 120ns, CQFP68, 22.40 X 22.40 MM, 3.56 MM HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERA |
|
| WF2M32B-120G2UI5 | MICROSEMI |
获取价格 |
Flash Module, 8MX8, 120ns, CQFP68, 22.40 X 22.40 MM, 3.56 MM HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERA |
|
| WF2M32B-120G2UI5A | MICROSEMI |
获取价格 |
Flash Module, 8MX8, 120ns, CQFP68, 22.40 X 22.40 MM, 3.56 MM HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERA |
|
| WF2M32B-120G2UM5 | MICROSEMI |
获取价格 |
Flash Module, 8MX8, 120ns, CQFP68, 22.40 X 22.40 MM, 3.56 MM HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERA |
|
| WF2M32B-120G2UM5A | MICROSEMI |
获取价格 |
Flash Module, 8MX8, 120ns, CQFP68, |
|
| WF2M32B-120HC5 | MICROSEMI |
获取价格 |
Flash Module, 8MX8, 120ns, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 |
|
| WF2M32B-120HC5A | MICROSEMI |
获取价格 |
Flash Module, 8MX8, 120ns, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 |
|
| WF2M32B-120HI5 | MICROSEMI |
获取价格 |
Flash Module, 8MX8, 120ns, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 |
|
| WF2M32B-120HI5A | MICROSEMI |
获取价格 |
Flash Module, 8MX8, 120ns, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 |
|
| WF2M32B-120HM5 | MICROSEMI |
获取价格 |
Flash Module, 8MX8, 120ns, CHIP66, |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
