是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DIMM, |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.24 | 风险等级: | 5.62 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 5.4 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH; LG-MAX; WD-MAX |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N144 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 67.72 mm | 内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 144 | 字数: | 33554432 words |
字数代码: | 32000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32MX8 | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIMM | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 31.75 mm |
自我刷新: | YES | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Gold (Au) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 3.81 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WED3DG6435V10D1I | MICROSEMI |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 32MX64, CMOS, SODIMM-144 | |
WED3DG6435V10D1I-M | WEDC |
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DRAM, | |
WED3DG6435V10D1I-M | MICROSEMI |
获取价格 |
DRAM, | |
WED3DG6435V10D1I-MG | WEDC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 | |
WED3DG6435V10D1I-MG | MICROSEMI |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 | |
WED3DG6435V10D1I-Q | MICROSEMI |
获取价格 |
DRAM, | |
WED3DG6435V10D1I-QG | MICROSEMI |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 | |
WED3DG6435V10D1-MG | WEDC |
获取价格 |
暂无描述 | |
WED3DG6435V10D1-Q | MICROSEMI |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, PDMA144, | |
WED3DG6435V10D1-QG | MICROSEMI |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 32MX64, 6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 |