是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | MODULE |
包装说明: | DIMM, | 针数: | 144 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.36 | 风险等级: | 5.62 |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 5.4 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码: | R-XDMA-N144 |
JESD-609代码: | e4 | 内存密度: | 2147483648 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | 内存宽度: | 64 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 144 | 字数: | 33554432 words |
字数代码: | 32000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32MX64 | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIMM | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 自我刷新: | YES |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Gold (Au) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WED3DG6435V10D1-MG | WEDC |
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暂无描述 | |
WED3DG6435V10D1-Q | MICROSEMI |
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Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, PDMA144, | |
WED3DG6435V10D1-QG | MICROSEMI |
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Synchronous DRAM Module, 32MX64, 6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 | |
WED3DG6435V10D1-S | WEDC |
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DRAM, | |
WED3DG6435V10D1-SG | WEDC |
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DRAM, | |
WED3DG6435V10D2 | MICROSEMI |
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Synchronous DRAM Module, 32MX64, CMOS, DIMM-168 | |
WED3DG6435V10JD1 | WEDC |
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256MB - 32Mx64 SDRAM UNBUFFERED | |
WED3DG6435V10JD1I-M | MICROSEMI |
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DRAM, | |
WED3DG6435V10JD1I-MG | MICROSEMI |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 | |
WED3DG6435V10JD1I-MG | WEDC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 |