是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | DIMM, DIMM144,32 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.64 | 最长访问时间: | 5.4 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 100 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDMA-N144 | 内存密度: | 2147483648 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | 内存宽度: | 64 |
端子数量: | 144 | 字数: | 33554432 words |
字数代码: | 32000000 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32MX64 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIMM | 封装等效代码: | DIMM144,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 最大待机电流: | 0.016 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 2.28 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WED3DG6435V10D1-QG | MICROSEMI |
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Synchronous DRAM Module, 32MX64, 6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 | |
WED3DG6435V10D1-S | WEDC |
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DRAM, | |
WED3DG6435V10D1-SG | WEDC |
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DRAM, | |
WED3DG6435V10D2 | MICROSEMI |
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Synchronous DRAM Module, 32MX64, CMOS, DIMM-168 | |
WED3DG6435V10JD1 | WEDC |
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256MB - 32Mx64 SDRAM UNBUFFERED | |
WED3DG6435V10JD1I-M | MICROSEMI |
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DRAM, | |
WED3DG6435V10JD1I-MG | MICROSEMI |
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Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 | |
WED3DG6435V10JD1I-MG | WEDC |
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Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 | |
WED3DG6435V10JD1I-Q | MICROSEMI |
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DRAM, | |
WED3DG6435V10JD1I-QG | WEDC |
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暂无描述 |