是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | MODULE |
包装说明: | DIMM, | 针数: | 144 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.36 | 风险等级: | 5.7 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码: | R-XDMA-N144 |
内存密度: | 2147483648 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
内存宽度: | 64 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 144 |
字数: | 33554432 words | 字数代码: | 32000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32MX64 | |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIMM |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
自我刷新: | YES | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WED3DG6435V10D1I-M | WEDC |
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DRAM, | |
WED3DG6435V10D1I-M | MICROSEMI |
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DRAM, | |
WED3DG6435V10D1I-MG | WEDC |
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Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 | |
WED3DG6435V10D1I-MG | MICROSEMI |
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Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 | |
WED3DG6435V10D1I-Q | MICROSEMI |
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DRAM, | |
WED3DG6435V10D1I-QG | MICROSEMI |
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Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 | |
WED3DG6435V10D1-MG | WEDC |
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暂无描述 | |
WED3DG6435V10D1-Q | MICROSEMI |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, PDMA144, | |
WED3DG6435V10D1-QG | MICROSEMI |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 32MX64, 6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 | |
WED3DG6435V10D1-S | WEDC |
获取价格 |
DRAM, |