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W8405ZD100

更新时间: 2024-11-06 07:53:39
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 二极管
页数 文件大小 规格书
10页 506K
描述
DIODE 8410 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

W8405ZD100 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.64应用:GENERAL PURPOSE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.93 V
JESD-30 代码:O-CEDB-N2最大非重复峰值正向电流:79200 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:190 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:8405 A
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1000 V最大反向电流:100000 µA
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:ENDBase Number Matches:1

W8405ZD100 数据手册

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Date:- 03rd July, 2014  
Data Sheet Issue:- 2  
Rectifier Diode  
Types W8405Z#100 to W8405Z#140  
Previous Type No.: SW02-22#XC32C  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
1000-1400  
1100-1500  
V
V
MAXIMUM  
LIMITS  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IF(AV)M  
IF(AV)M  
Maximum average forward current, Tsink=55°C, (note 2)  
Maximum average forward current. Tsink=100°C, (note 2)  
8405  
6422  
A
A
IF(RMS)M Nominal RMS forward current, Tsink=25°C, (note 2)  
15025  
A
IF(d.c.)  
IFSM  
IFSM2  
I2t  
D.C. forward current, Tsink=25°C, (note 3)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm=60%VRRM, (note 4)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm10V, (note 4)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm=60%VRRM, (note 4)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm10V, (note 4)  
Operating temperature range  
12920  
A
72  
kA  
kA  
A2s  
A2s  
°C  
°C  
79.2  
25.9×106  
31.4×106  
-40 to +190  
-40 to +190  
I2t  
Tj op  
Tstg  
Storage temperature range  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Double side cooled.  
4) Half-sinewave, 190°C Tj initial.  
Data Sheet. Types W8405Z#100 to W8405Z#140 Issue 2  
Page 1 of 10  
July, 2014  

与W8405ZD100相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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