Datasheet > 存储 > DRAM> W3EG7264S202BD4MG

W3EG7264S202BD4MG

更新时间： 2024-02-21 18:24:53

品牌	Logo	应用领域
WEDC		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
13页	197K
描述
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200

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W3EG7264S202BD4MG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	DIMM,	针数：	200
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.64
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.75 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-XDMA-N200
内存密度：	4831838208 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	72	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	200
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX72
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

W3EG7264S202BD4MG 数据手册

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W3EG7264S-AD4

-BD4

White Electronic Designs

PRELIMINARY*

512MB – 2x32Mx72 DDR ECC SDRAM UNBUFFERED w/PLL

FEATURES

DESCRIPTION

ꢀ

Double-data-rate architecture

The W3EG7264S is a 2x32Mx72 Double Data Rate

SDRAM memory module based on 512Mb DDR SDRAM

components. The module consists of nine 64Mx8 DDR

SDRAMs stacked in 54 pin TSOP packages mounted on

a 200 pin FR4 substrate. This module is structured as 2

Ranks of 64Mx72 DDR SDRAM.

DDR200, DDR266 DDR333

• JEDEC design speciﬁcations

Bi-directional data strobes (DQS)

Differential clock inputs (CK & CK#)

Programmable Read Latency 2,2.5 (clock)

Programmable Burst Length (2,4,8)

Programmable Burst type (sequential & interleave)

Edge aligned data output, center aligned data input

Auto and self refresh

ꢀ

Synchronous design allows precise cycle control with the

use of system clock. Data I/O transactions are possible on

both edges and Burst Lengths allow the same device to be

useful for a variety of high bandwidth, high performance

memory system applications.

Serial presence detect

Dual Rank

* This product is under development, is not qualiﬁed or characterized and is subject to

change without notice.

Power supply: 2.5V 0.2V

200 pin SO-DIMM package

• Package height options:

AD4: 35.05 mm (1.38”)

BD4: 31.75 mm (1.25”)

NOTE: Consult factory for availability of:

• RoHS compliant products

• Vendor source control options

• Industrial temperature option

OPERATING FREQUENCIES

DDR333@CL=2.5

166MHz

DDR266@CL=2

133MHz

DDR266@CL=2.5

133MHz

DDR200@CL=2

100MHz

Clock Speed

CL-t_RCD-t_RP

2.5-3-3

2-2-2

2.5-3-3

2-2-2

January 2005

Rev. 3

White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.wedc.com

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W3EG7264S202BD4SG	MICROSEMI	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200
W3EG7264S202D3I	WEDC	获取价格	DRAM,
W3EG7264S202JD3	WEDC	获取价格	512MB - 64Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED
W3EG7264S202JD3C	WEDC	获取价格	DRAM,
W3EG7264S202JD3I	WEDC	获取价格	DRAM,
W3EG7264S262AD4	WEDC	获取价格	512MB - 2x32Mx72 DDR ECC SDRAM UNBUFFERED w/PLL
W3EG7264S262AD4	MICROSEMI	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX8, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200
W3EG7264S262AD4M	WEDC	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, SO-DIMM-200
W3EG7264S262AD4MG	WEDC	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200
W3EG7264S262AD4S	WEDC	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, SO-DIMM-200

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