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W3EG7264S202BD4

更新时间： 2024-11-01 20:28:51

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	217K
描述
DDR DRAM Module, 64MX8, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200

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W3EG7264S202BD4 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SODIMM
包装说明：	DIMM,	针数：	200
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.75 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX
JESD-30 代码：	R-PBGA-B136	长度：	67.56 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	200
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX8
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	31.75 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	6.35 mm
Base Number Matches：	1

W3EG7264S202BD4 数据手册

W3EG7264S-AD4

-BD4

White Electronic Designs

PRELIMINARY*

512MB – 2x32Mx72 DDR ECC SDRAM UNBUFFERED w/PLL

FEATURES

DESCRIPTION

Double-data-rate architecture

The W3EG7264S is a 2x32Mx72 Double Data Rate

SDRAM memory module based on 512Mb DDR SDRAM

components. The module consists of nine 64Mx8 DDR

SDRAMs stacked in 54 pin TSOP packages mounted on

a 200 pin FR4 substrate. This module is structured as 2

Ranks of 64Mx72 DDR SDRAM.

DDR200, DDR266 DDR333

• JEDEC design speciﬁcations

Bi-directional data strobes (DQS)

Differential clock inputs (CK & CK#)

Programmable Read Latency 2,2.5 (clock)

Programmable Burst Length (2,4,8)

Programmable Burst type (sequential & interleave)

Edge aligned data output, center aligned data input

Auto and self refresh

Synchronous design allows precise cycle control with the

use of system clock. Data I/O transactions are possible on

both edges and Burst Lengths allow the same device to be

useful for a variety of high bandwidth, high performance

memory system applications.

Serial presence detect

Dual Rank

* This product is under development, is not qualiﬁed or characterized and is subject to

change without notice.

Power supply: 2.5V ± 0.2V

200 pin SO-DIMM package

• Package height options:

AD4: 35.05 mm (1.38”)

BD4: 31.75 mm (1.25”)

NOTE: Consult factory for availability of:

• RoHS compliant products

• Vendor source control options

• Industrial temperature option

OPERATING FREQUENCIES

DDR333@CL=2.5

166MHz

DDR266@CL=2

133MHz

DDR266@CL=2.5

133MHz

DDR200@CL=2

100MHz

Clock Speed

CL-t_RCD-t_RP

2.5-3-3

2-2-2

2.5-3-3

2-2-2

January 2005

Rev. 3

White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.whiteedc.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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W3EG7264S202BD4MG	WEDC	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200
W3EG7264S202BD4SG	MICROSEMI	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200
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W3EG7264S202JD3	WEDC	获取价格	512MB - 64Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED
W3EG7264S202JD3C	WEDC	获取价格	DRAM,
W3EG7264S202JD3I	WEDC	获取价格	DRAM,
W3EG7264S262AD4	WEDC	获取价格	512MB - 2x32Mx72 DDR ECC SDRAM UNBUFFERED w/PLL
W3EG7264S262AD4	MICROSEMI	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX8, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200
W3EG7264S262AD4M	WEDC	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, SO-DIMM-200

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