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W28C256FHT

更新时间： 2024-11-22 19:44:39

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温彻斯特电子 - WINCHESTER		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
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EEPROM, 32KX8, Parallel, CMOS, FP-32

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W28C256FHT 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DFP
包装说明：	DFP,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.79
JESD-30 代码：	R-XDFP-F32	长度：	20.828 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.048 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
总剂量：	300k Rad(Si) V	宽度：	13.716 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	Base Number Matches：	1

W28C256FHT 数据手册

W28C256

Radiation Hardened 32K x 8 CMOS EEPROM

Northrop Grumman Corporation

ECN 2005178

May 2005

Rev. F

Features

• 1.25 Micrometer Radiation Hardened CMOS on Epi

− Total Dose up to 300 Krad (Si)

− Transient Logic Upset >5E7 Rad(Si)/sec

− Memory Data Loss >1E12 Rad(Si)/sec

A14

A12

VSS

CLK

VDD

WEB

A13

• Single Event Upsets

A11

OEB

A10

CEB

− SEU During READ

LETth = 60 MeV/mg/cm²

32 FP

− SEU in Address/Data Latches,

LETth = 35 MeV/mg/cm²

− Permanent SEU damage (During Write Only),

Atomic Number ≥ Kr

• No Latchup

• Compatible with commercial EEPROMs

• JEDEC pin compatible in center 28 pins

RSTB

PINOUT

(Top View)

• Full military operating temperature range, screened to

specific test methods for commercial, Class B, or modified

Hi Rel.

Supports these commercial features:

− Self-Timed Programming

− Combined Erase/Write

− Auto Program Start

− +5V only read operation

− Asynchronous Addressing

− 64 Word Page

− Data Polling

Introduction

The W28C256 is a 32K x 8 radiation hardened EEPROM

NM, and manufactured by the Northrop Grumman

Advanced Technology Center, Baltimore MD, using

nonvolatile memory technology transferred from Sandia. It

is built using a mature dual well CMOS process using N on

N+ epitaxial silicon and a two layer interconnect system.

Caution: These devices are sensitive to electrostatic discharge. Users should follow proper I.C. handling procedures.

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W28D150K2M	WALL	获取价格	Power Management Circuit,
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W28F641BB80L	WINBOND	获取价格	64MBIT (4MBIT × 16) PAGE MODE DUAL WORK FLASH
W28F641BT80L	WINBOND	获取价格	64MBIT (4MBIT × 16) PAGE MODE DUAL WORK FLASH
W28F641TB80L	WINBOND	获取价格	64MBIT (4MBIT × 16) PAGE MODE DUAL WORK FLASH
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