是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP28,.6 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.1.B.2 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.87 | 最长访问时间: | 45 ns |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | NO |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 37.08 mm | 内存密度: | 524288 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64KX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 12 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.33 mm | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | NO |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
W27C512-45 | WINBOND |
功能相似 |
64K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
W27E512-55 | WINBOND |
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64K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM | |
W27E512-70 | WINBOND |
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64K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM | |
W27E512-90 | WINBOND |
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64K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM | |
W27E512P-12 | WINBOND |
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W27E512P-15 | WINBOND |
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W27E512P-45 | WINBOND |
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W27E512P-55 | WINBOND |
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W27E512P-70 | WINBOND |
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64K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM | |
W27E512P-90 | WINBOND |
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W27E512Q-12 | WINBOND |
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64K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM |