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W27L010-90

更新时间： 2024-11-21 22:35:43
品牌 Logo 应用领域
华邦 - WINBOND 存储内存集成电路光电二极管输出元件输入元件可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
14页 122K
描述
128K ⅴ 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM

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W27L010-90 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
针数：32Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最长访问时间：90 ns其他特性：TTL/CMOS COMPATIBLE INPUT & OUTPUT
命令用户界面：NO数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PDIP-T32JESD-609代码：e0
长度：41.91 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP32,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
编程电压：12 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.33 mm最大待机电流：0.00002 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

W27L010-90 数据手册

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Preliminary W27L010  
128K ´ 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM  
GENERAL DESCRIPTION  
The W27L010 is a high speed, low power consumption Electrically Erasable and Programmable Read  
Only Memory organized as 131072 ´ 8 bits. It requires only one supply in the range of 3.0V to 3.6V in  
normal read mode. The W27L010 provides an electrical chip erase function.  
FEATURES  
· High speed access time:  
90/120 nS (max.)  
· +14V erase/+12V programming voltage  
· Fully static operation  
· Read operating current: 10 mA (max.)  
· All inputs and outputs directly TTL/CMOS  
· Erase/Programming operating current:  
compatible  
30 mA (max.)  
· Three-state outputs  
· Standby current: 20 mA (max.)  
· Available packages: 32-pin 600 mil DIP, 450  
· Low voltage power supply range, 3.0V to 3.6V  
mil SOP and PLCC  
PIN CONFIGURATIONS  
BLOCK DIAGRAM  
Q0  
.
.
PGM  
CE  
OUTPUT  
BUFFER  
Vcc  
Vpp  
A16  
A15  
A12  
A7  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
1
CONTROL  
DECODER  
PGM  
NC  
2
Q7  
OE  
3
A14  
A13  
A8  
4
5
A0  
.
A6  
6
CORE  
ARRAY  
A5  
7
A9  
32-pin DIP  
A11  
A4  
8
.
A3  
9
OE  
A16  
A2  
10  
11  
12  
13  
14  
A10  
A1  
CE  
Q7  
V
CC  
A0  
GND  
Q0  
Q6  
Q5  
V
PP  
Q1  
Q2  
18  
17  
Q4  
Q3  
15  
16  
GND  
PIN DESCRIPTION  
/
A
1
6
A
A
1
5
V
p
p
V
c
P
SYMBOL  
DESCRIPTION  
Address Inputs  
Data Inputs/Outputs  
1
2
N
C
G
M
c
A0- A16  
Q0- Q7  
CE  
3
2
3
1
4
3
2
1
3
0
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
Q0  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
A14  
A13  
A8  
Chip Enable  
A9  
Output Enable  
Program Enable  
Program/Erase Supply Voltage  
Power Supply  
Ground  
No Connection  
OE  
32-pin PLCC  
A11  
OE  
A10  
CE  
Q7  
PGM  
VPP  
1
8
1
9
2
0
1
7
1
4
1
5
1
6
VCC  
GND  
NC  
Q
1
Q
2
Q
5
G
N
D
Q
3
Q
4
Q
6
Publication Release Date: February 1999  
Revision A1  
- 1 -  
1234567...14

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与W27L010-90相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
W27L010P-12 WINBOND

获取价格

 		128K ⅴ 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM
W27L010P-15 WINBOND

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 		EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
W27L010P-90 WINBOND

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 		128K ⅴ 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM
W27L010Q-12 WINBOND

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 		EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO32, 8 X 14 MM, STSOP1-32
W27L010Q-15 WINBOND

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 		EEPROM, 128KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
W27L01P-70 WINBOND

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 		128K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM
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