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W2624ND280

更新时间： 2024-11-08 19:22:11

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力特 - LITTELFUSE		二极管
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9页	263K
描述
Rectifier Diode,

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W2624ND280 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-CEDB-N2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.64
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	2.03 V	JESD-30 代码：	O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流：	30800 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	160 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	2624 A	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
最大重复峰值反向电压：	2800 V	最大反向电流：	50000 µA
最大反向恢复时间：	27 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
Base Number Matches：	1

W2624ND280 数据手册

Date:- 25^thAug, 2017

Data Sheet Issue:- 2

Rectifier Diode

Type W2624N#240 to W2624N#280

Absolute Maximum Ratings

MAXIMUM

LIMITS

VOLTAGE RATINGS

UNITS

V_RRM

V_RSM

Repetitive peak reverse voltage, (note 1)

Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)

2400-2800

2500-2900

MAXIMUM

LIMITS

OTHER RATINGS

UNITS

I_F(AV)M

Maximum average forward current, T_sink=55°C, (note 2)

Maximum average forward current. T_sink=85°C, (note 2)

Maximum average forward current. T_sink=85°C, (note 3)

2624

2110

1311

4828

4218

I_F(RMS)MNominal RMS forward current, T_sink=25°C, (note 2)

I_F(d.c.)

D.C. forward current, T_sink=25°C, (note 4)

I_FSM

I_FSM2

I²t

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm=0.6V_RRM, (note 5)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm≤10V, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm=0.6V_RRM, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm≤10V, (note 5)

Operating temperature range

28.0

A²s

°C

30.8

3.92×10⁶

4.74×10⁶

-55 to +160

-55 to +190

I²t

T_{j op}

T_stg

Storage temperature range

Notes:-

1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for T_jbelow 25°C.

2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

4) Double side cooled.

5) Half-sinewave, 160°C T_jinitial.

Data Sheet. Type W2624N#240 to W2624N#280 Issue 2

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Aug, 2017

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