生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | TFBGA, BGA48,6X8,30 | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 8 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 48 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256KX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装等效代码: | BGA48,6X8,30 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.1 mm |
最小待机电流: | 1.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.025 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.65 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN SILVER COPPER |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.75 mm |
端子位置: | BOTTOM | 宽度: | 6 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
W26A041H70LE | WINBOND |
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Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | |
W26A041H70LI | WINBOND |
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Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | |
W26B02 | ETC |
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SRAM | |
W26B021T10LE | WINBOND |
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Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO48, TSOP1-48 | |
W26B021T10LL | WINBOND |
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Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO48, TSOP1-48 | |
W26B021T70LE | WINBOND |
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Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO48, TSOP1-48 | |
W26B021T70LI | WINBOND |
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Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO48, TSOP1-48 | |
W26B041H70LE | WINBOND |
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Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | |
W26B041H70LI | WINBOND |
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Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | |
W26B04B-70LI | WINBOND |
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Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, TFBGA-48 |